記事日付：2026年8月5日
サムスン電子は、米国カリフォルニア州サンタクララで開催された「Future of Memory and Storage (FMS) 2026」において、AIインフラの性能向上を目的とした次世代メモリ技術のロードマップを公開した。
同社は、メモリ、ファウンドリ、先端パッケージングの能力を併せ持つIDM（垂直統合型デバイスメーカー）としての強みを活かし、日本を含むグローバル市場の顧客向けに、設計から量産までを一貫して提供するターンキーソリューションを提示した。
AIアクセラレータの性能を最大化するzHBM
サムスンは、AIアクセラレータの直上にメモリを垂直積層する新アーキテクチャ「zHBM」のコンセプトモデルを業界で初めて発表した。
従来のプロセッサ横配置型から脱却し、データ移動距離を最小化することで、HBM5と比較して約8倍の性能向上を見込む。
また、次世代ウェハボンディング技術により、メモリ密度を10倍以上に高めつつ、エネルギー効率を3倍に向上させ、熱抵抗を半分以下に抑える設計となっている。
顧客ごとのカスタマイズIPをメモリとアクセラレータの中間層に統合できる点も特徴であり、AIシステム全体の性能最適化に向けた柔軟な構成が可能になる。
400層超を実現したV10 BV-NAND
同社は、新開発のウェハボンディング技術を採用した「V10 BV-NAND」を披露した。
400層を超える積層を実現し、前世代のV9と比較してメモリ密度を約58%向上させている。
積層数の増加に加え、読み書きおよびI/O性能も強化されており、将来のAIシステムで求められる高容量・高性能なストレージ需要に対応する。
あわせて、エッジAI環境向けに最適化された「zNAND-O」も発表され、リアルタイムかつデータ集約型のAIアプリケーションへの対応が図られている。
統合型ソリューションによる開発サイクルの短縮
サムスンは、IDMとしての強みを活かし、製品設計から量産までを一貫して提供するターンキー戦略を強調した。
この体制により、顧客はAI半導体ソリューションの開発サイクルを短縮し、性能と電力効率を最適化できるとしている。
今後はHBM4EやHBM5、LPDDR5X-PIMといったポートフォリオを軸に、AIデータセンターのインフラ構築を支援する方針である。
コメント